芯片常用封装介绍

2019-10-26 18:07:56 65

1、BGA 封装 (ball grid array)

球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 代替引脚,在印 刷基板的正面装配 LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚 LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚 QFP 为40mm 见方。而且 BGA 不 用担 心 QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国 Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在 美国有 可 能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为 1.5mm,引脚数为225。现在 也有 一些 LSI 厂家正在开发500 引脚的 BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方 法。有的认为 , 由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见 OMPAC 和 GPAC)。图片关键词

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2、BQFP 封装 (quad flat package with bumper)

带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程 中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm, 引脚数从84 到196 左右(见 QFP)。

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3、碰焊 PGA 封装 (butt joint pin grid array)

表面贴装型 PGA 的别称(见表面贴装型 PGA)。图片关键词

4、C-(ceramic) 封装

表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷 DIP。是在实际中经常使用的记号。

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5、Cerdip 封装

用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于 ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip

用于紫外线擦除型 EPROM 以及内部带有 EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。在 日本,此封装表示为 DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。

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6、Cerquad 封装

表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷 QFP,用于封装 DSP 等的逻辑 LSI 电路。带有窗 口的 Cerquad用 于封装 EPROM 电路。散热性比塑料 QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料

QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。

带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 带有窗口的用于 封装紫外线擦除型 EPROM 以及带有 EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见 QFJ)。

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7、CLCC 封装 (ceramic leaded chip carrier)

带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫 外线擦除型 EPROM 以及带有 EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见 QFJ)。

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8、COB 封装 (chip on board)

板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基 板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆 盖以确保可*性。虽然 COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如 TAB 和倒片 焊技术。

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9、DFP(dual flat package)

双侧引脚扁平封装。是 SOP 的别称(见 SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。

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10、DIC(dual in-line ceramic package)

陶瓷 DIP(含玻璃密封)的别称(见 DIP).

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11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见 DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。

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12、DIP(dual in-line package) 双列直插式封装。

插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑 IC,存贮器 LSI,微机电路等。

引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封 装分别称为 skinny DIP 和 slim DIP(窄体型 DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为 DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip(见 cerdip)。

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13、DSO(dual small out-lint)

双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见 SOP)。部分半导体厂家采用此名称。

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14、DICP(dual tape carrier package)

双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是 TAB(自 动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动 LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm 厚的存储器 LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照 EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将 DICP 命名为DTP。

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15、DIP(dual tape carrier package)

同上。日本电子机械工业会标准对 DTCP 的命名(见 DTCP)。

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16、FP(flat package)

扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或 SOP(见 QFP 和 SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。

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17、Flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在 LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上 的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。

但如果基板的热膨胀系数与 LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固 LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。其中SiS 756北桥芯片采用最新的Flip-chip封装,全面支持AMD Athlon 64/FX中央处理器。支持PCI Express X16接口,提供显卡最高8GB/s双向传输带宽。支持最高HyperTransport Technology,最高2000MT/s MHz的传输带 宽。内建矽统科技独家Advanced HyperStreaming Technology,MuTIOL 1G Technology。

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18、FQFP(fine pitch quad flat package)

小引脚中心距 QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的 QFP(见 QFP)。部分导导体厂家采用此名称。塑 料四边引出扁平封装 PQFP(Plastic Quad Flat Package)PQFP 的封装形式最为普遍。其芯片引脚之间距离很小,引脚很细,很多大规模或超大集成电路都采用这 种封装形式,引脚数量一般都在100个以上。Intel 系列 CPU 中80286、80386和某些486主板芯片采用这种封装形式。 此种封装形式的芯片必须采用 SMT 技术(表面安装设备)将芯片与电路板焊接起来。采用 SMT 技术安装的芯片 不必在电路板上打孔,一般在电路板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点,即可实现 与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。SMT 技术也被广泛的使用在芯 片焊接领域,此后很多高级的封装技术都需要使用 SMT 焊接。

以下是一颗 AMD 的 QFP 封装的286处理器芯片。0.5mm 焊区中心距,208根 I/O 引脚,外形尺寸28×28mm, 芯片尺寸10×10mm,则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:7.8,由此可见 QFP 比 DIP 的封装尺寸大大减小了。

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PQFP 封装的主板声卡芯片

19、CPAC(globe top pad array carrier)

美国 Motorola 公司对 BGA 的别称(见 BGA)。

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20、CQFP 軍用晶片陶瓷平版封裝 (Ceramic Quad Flat-pack Package)

右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝(CQFP),這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工 業用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層(有高起來,照片上不明顯)用來防止輻射及其他干擾。 外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳,這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。

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21、H-(with heat sink)

表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的 SOP。

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22、Pin Grid Array(Surface Mount Type)

表面贴装型 PGA。通常 PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型 PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称 为碰焊 PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型 PGA 小一半,所以封装本体可制作得不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑 LSI 用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

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PGA 封装 威刚迷你 DDR333本内存

23、JLCC 封装(J-leaded chip carrier)

J 形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC 和带窗口的陶瓷 QFJ 的别称(见 CLCC 和 QFJ)。部分半导体厂家 采用的名称。

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24、LCC 封装(Leadless chip carrier)

无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频 IC 用 封装,也称为陶瓷 QFN 或 QFN-C(见 QFN)。

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25、LGA 封装(land grid array)

触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227 触 点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷 LGA,应用于高速逻辑 LSI 电路。

LGA 与 QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速 LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。

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AMD 的2.66GHz 双核心的 Opteron F 的 Santa Rosa 平台 26、LOC 封装(lead on chip)

芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作 有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。

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日立金属推出2.9mm 见方3轴加速度传感器

27、LQFP 封装(low profile quad flat package)

薄型 QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的 QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP外形规格所用的名称。

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28、L-QUAD 封装

陶瓷 QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许 W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm 中心距)的 LSI 逻辑用封

装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。

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29、MCM封装(multi-chip module)

多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。

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根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。

MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。

MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。

MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。

30、MFP 封装( mini flat package)

小形扁平封装。塑料 SOP 或 SSOP 的别称(见 SOP 和 SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。

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31、MQFP 封装 (metric quad flat package)

按照 JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对 QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度 为3.8mm~2.0mm 的标准 QFP(见 QFP)。

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32、MQUAD 封装 (metal quad)

美国 Olin 公司开发的一种 QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷条件下可 容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。

33、MSP 封装 (mini square package)

QFI 的别称(见 QFI),在开发初期多称为 MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。

34、OPMAC 封装 (over molded pad array carrier)

模压树脂密封凸点陈列载体。美国 Motorola 公司对模压树脂密封 BGA 采用的名称(见 BGA)。

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35、P-(plastic) 封装

表示塑料封装的记号。如 PDIP 表示塑料 DIP。

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36、PAC 封装 (pad array carrier)

凸点陈列载体,BGA 的别称(见 BGA)。

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37、PCLP(printed circuit board leadless package)

印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料 QFN(塑料 LCC)采用的名称(见 QFN)。引脚中心距有

0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。

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38、PFPF(plastic flat package)

塑料扁平封装。塑料 QFP 的别称(见 QFP)。部分 LSI 厂家采用的名称。

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39、PGA(pin grid array)

陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基 板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷 PGA,用于高速大规模逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心 距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~

256 引脚的塑料 PGA。另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型 PGA(碰焊 PGA)。(见表面贴

装型 PGA)。

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40、Piggy Back

驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与 DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评 价程序确认操作。例如,将 EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品,市场上不怎么流通。

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内存芯片识别方法

1.LGS:LGS的SDRAM芯片上的标识; 
GM72V*****1**T** 
GM为LGS产品; 
72为SDRAM; 
1,2个*代表容量,16为16Mbit,66为64Mbit; 
3,4个*代表数据位宽,一般为4,8,16等,不补0; 
5个*代表bank,2代表2个,4代表4个; 
6个*代表是第几个版本的内核; 
7个*如果是L就代表低功耗,空白为普通; 
“T”为TSOP II封装;“I”为BLP封装; 
最后的**代表速度: 
7:7ns(143MHz) 
7:7.5ns(133MHz) 
8:8ns(125MHz) 
7K:10ns(PC100 CL2&3) 
7J:10ns(PC100 CL3) 
10K:10ns(100MHz) 
12:12ns(83MHz) 
15:15ns(66MHz) 

2.Hyundai:现代的SDRAM芯片的标识 
HY5*************-** 
HY为现代产品, 
5*表示芯片类型,57为SDRAM,5D为DDR SDRAM; 
2个*代表工作电压,空白为5伏,“V”为3;3伏,“U”为2;5伏; 
3-5个*代表容量和刷新速度: 
16:16Mbit,4k Ref 
64:64Mbit,8k Ref 
65:64Mbit,4k Ref 
128:128Mbit,8k Ref 
129:128Mbit,4k Ref 
256:256Mbit,16k Ref 
257:256Mbit,8K Ref 
6,7个*代表数据位宽,40,80,16,32分别代表4位,8位,16位和32位; 
8个*代表bank,1,2,3分别为2,4,8个bank; 
9个*一般为0,代表LVTTL(Low Voltage TTL)接口; 
10个*可为空白或A,B,C,D等,代表内核,越往后越新; 
11个*如为L则为低功耗,空白为普通; 
12,13个*代表封装形式; 
最后几位为速度: 
7:7ns(143MHz) 
8:8ns(133MHz) 
10P:10ns(PC100 CL2/3) 
10S:10ns(Pc100 CL3) 
10:10ns(100MHz) 
12:12ns(83MHz) 
15:15ns(66MHz) 

3.Micron: Micron的SDRAM芯片的标识; 
MT48****M**A*TG-*** 
MT为Micron的产品; 
48代表SDRAM,其后的**如为LC则为普通SDRAM; 
M后的**表示数据的位宽;4,8,16,32分别代表4位,8位,16位和32位; 
Micron的容量要自己算一下,将M前的**和其后的**相乘,得到的结果为容量; 
A*代表write recovery(tWR),如A2表示tWR=2clk 
TG为TSOP II 封装,LG为TGFP封装; 
最后的**代表速度: 
7:7ns(143MHz) 
75:7.5ns(133MHz) 
8*:8ns(125MHz),其中*为A-E,字母越往后越好; 
10:10ns(100MHz CL=3); 
例如:MT48LC8M8A2TG-8E,64Mbit(8*8),8位。  

如何根据内存芯片标识识别内存(二) 

---- 许多朋友都会遇到这样一个问题,在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别,在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制,这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。  

一、现代SDRAM内存芯片的识别  

---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  

HY 5X X    XXX XX X X X X XX - XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨     ⑩  

---- “HY”表明是现代的产品。  

---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO,“57”为SDRAM,“5D”为DDR SDRAM。  

---- ②代表工作电压: “U”为2.5V,“V”为3.3V,空白代表5V。  

---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。  

---- ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。  

---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。  

---- ⑥代表内存接口: 一般为“0”,代表LVTTL接口。  

---- ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代,“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。  

---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片,空白表示为正常功耗芯片。  

---- ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:  


“JC”: 400mil SOJ 
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ 
“TD”: TSOP-Ⅱ 
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD 

---- ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:  

“7”: 7ns(143MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3) 
“10s”: 10ns(PC-100 CL3) 
“10”: 10ns(100MHz) 
“12”: 12ns(83MHz) 
“15”: 15ns(66MHz) 

二、LG SDRAM内存芯片的识别  

---- LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  

GM72V XX XX X X X X X XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧  

---- “GM”代表LG的产品。  

---- “72”代表SDRAM。  

---- “V”代表工作电压为3.3V。  

---- ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。  

---- ②代表数据位宽: 其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。  

---- ③代表内存芯片内部Bank: 其中“2”表示2个Bank,“4”表示4个Bank。  

---- ④代表内存接口: “1”代表LVTTL。  

---- ⑤代表内核版本。  

---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗,空白则代表常规功耗。  

---- ⑦代表封装类型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封装,如果是“I”则代表BLP封装。  

---- ⑧代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:  


“75”: 7.5ns(133MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3) 
“7J”: 10ns(100MHz) 
“10K”: 10ns(100MHz) 
“12”: 12ns(83MHz) 
“15”: 15ns(66MHz) 

三、KingMax SDRAM内存芯片的识别  

---- KingMax公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  

KM X XX S XX X X X X X - X XX  
    ① ②     ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧     ⑨ ⑩  

---- “KM”表示KingMax的产品。  

---- ①代表内存芯片种类: “4”代表DRAM。  

---- ②代表内存芯片组成个数: “4”代表×4,“8”代表×8,“16”代表×16。  

---- “S”表明是SDRAM。  

---- ③代表一个内存芯片密度: “1”代表1Mbit,“2”代表2Mbit,“4”代表4Mbit,“8”代表8Mbit,“16”代表16Mbit。  

---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref,“1”代表2K Ref,“2”代表8K Ref。  

---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: “2”代表2个Bank,3代表4个Bank。  

---- ⑥代表内存接口: “0”代表LVTTL,“1”代表SSTL。  

---- ⑦代表内存版本: 空白代表第1代,“A”代表第2代,“B”代表第3代。  

---- ⑧代表封装类型: “T”代表封装类型为TSOP-Ⅱ。  

---- ⑨代表电源供应方式: “G”代表自动刷新,“F”代表低电压自动刷新。  

---- ⑩代表最少存取周期(最高频率): 其编号与速度的对应关系如下:  

“7”: 7ns(143MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“10”: 10ns(100MHz) 
“H”: 100MHz@CAS值为2 
“L”: 100MHz@CAS值为3 

---- 例如内存标识为“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM内存芯片,刷新为8K Ref,内存Bank为3,内存接口为LVTTL,第2代内存,自动刷新,速度是10ns(100MHz)。   

内存编号识别(三)

      内存作假主要是以低速内存冒充高速度的,以低容量内存冒充高容量的。要

杜绝此类作假,就要学会识别内存规格和内存芯片编号,方法一般是看SPD芯片中

的信息和内存芯片上的编号,前者是内存的技术规范,后者由于厂家的不同,其

编号规则也不同。 
  从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片,SPD芯片是内存条正面右侧的一块8

管脚小芯片,里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD

tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时,支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中

的信息,按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软

件来查看SPD芯片中的信息,例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测

内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式,一般为PCx-xxx-xxx,但是不同

的内存规范,其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
1)1.0---1.2版本
  这类版本内存标注格式为:PCa-bcd-efgh,例如PC100-322-622R,其中a表示

标准工作频率,用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即

CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;c表示最少的Trcd

RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示,一般为2;d表示TRP(RAS的预充电

时间),用时钟周期数表示,一般为2;e表示最大的tAC(相对于时钟下沿的数据

读取时间),一般为6(ns)或6.5,越短越好;f表示SPD版本号,所有的PC100内

存条上都有EEPROM,用来记录此内存条的相关信息,符合Intel PC100规范的为

1.2版本以上;g代表修订版本;h代表模块类型;R代表DIMM已注册,256MB以上的

内存必须经过注册。
2)1.2b+版本 
  其格式为:PCa-bcd-eeffghR,例如PC100-322-54122R,其中a表示标准工作

频率,用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表

示,一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示;

d表示TRP(RAS的预充电时间),用时钟周期数表示;ee代表相对于时钟下沿的数

据读取时间,表达时不带小数点,如54代表5.4ns tAC;ff代表SPD版本,如12代

SPD版本为1.2;g代表修订版本,如2代表修订版本为1.2;h代表模块类型;R代

DIMM已注册,256MB以上的内存必须经过注册。  
2、PC133 SDRAM(版本为2.0)内存标注格式 
  威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准,威盛力推的PC133规范是PC133

CAS=3,延用了PC100的大部分规范,例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD

;英特尔的PC133规范要严格一些,是PC133 CAS=2,要求内存芯片至少7.5ns,在

133MHz时最好能达到CAS=2。
  
  PC133 SDRAM标注格式为:PCab-cde-ffg,例如PC133U-333-542,其中a表示

标准工作频率,单位MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U代表DIMM不含缓冲

区;c表示最小的CL(即CAS的延迟时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;d表

RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预充电时间,用时钟周期数

表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时不带小数点,如54代表

5.4ns tAC;g代表SPD版本,如2代表SPD版本为2.0。 
3、PC1600/2100 DDR SDRAM(版本为1.0)内存标注格式 
  其格式为:PCab-ccde-ffg,例如PC2100R-2533-750,其中a表示内存带宽,

单位为MB/s;a*1/16=内存的标准工作频率,例如2100代表内存带宽为2100MB/s,

对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U

代表DIMM不含缓冲区;cc表示CAS延迟时间,用时钟周期数表示,表达时不带小数

点,如25代表CL=2.5;d表示RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预

充电时间,用时钟周期数表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时

不带小数点,如75代表7.5ns tAC;g代表SPD版本,如0代表SPD版本为1.0。 
4、RDRAM 内存标注格式 
  其格式为:aMB/b c d PCe,例如256MB/16 ECC PC800,其中a表示内存容量

b代表内存条上的内存颗粒数量;c代表内存支持ECC;d保留;e代表内存的数据

传输率,e*1/2=内存的标准工作频率,例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s

,对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。  
5、各厂商内存芯片编号 
  内存打假的方法除了识别内存标注格式外,还可以利用刻在内存芯片上的编

号。内存条上一般有多颗内存芯片,内存芯片因为生产厂家的不同,其上的编号

也有所不同。 
  由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额,它们产的内存芯片质量稳

定,价格不高,另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存,因此我们就

先来看看它们的内存芯片编号。 (

(1)HYUNDAI(现代)
 
  现代的SDRAM内存兼容性非常好,支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它,

SDRAM芯片编号格式为:HY 5a b cde fg h i j k lm-no 
  其中HY代表现代的产品;5a表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);b代表

工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K

Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,

129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref);fg

代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);h

代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的

幂次关系);I代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);j代表内核版本

(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新);k代表功耗(L=低功

耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-

Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ);no代表速度(7=7ns[143MHz],

8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],

10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
 
  例如HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和

4K refresh cycles/64ms,8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC

400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。
 
  市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10,其中

ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难;编号ATC8的可超到124MHz,但上133MHz也

不行;编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲,编号最后两位是

7K的代表该内存外频是PC100,75的是PC133的,但现代内存目前尾号为75的早已

停产,改换为T-H这样的尾号,可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多,

这可能是以前的屯货,但可能性很小,假货的可能性较大,所以最好购买T-H尾号

PC133现代内存。
 
2)LGS[LG Semicon]
 
  LGs如今已被HY兼并,市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编

号格式为:GM72V ab cd e 1 f g T hi
 
  其中GM代表LGS的产品;72代表SDRAM;ab代表容量(16=16Mbits,

66=64Mbits);cd表示数据位宽(一般为4、8、16等);e代表Bank(2=2个Bank,

4=4个Bank);f表示内核版本,至少已排到E;g代表功耗(L=低功耗,空白=普通

);T代表封装(T=常见的TSOPⅡ封装,I=BLP封装);hi代表速度(7.5=7.5ns[

133MHz],8=8ns[125MHz],7K=10ns[PC-100 CL2或3],7J=10ns[100MHz]

10K=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=15ns[66MHz])。
 
  例如GM72V661641CT7K,表示LGs SDRAM,64Mbit,16位输出,4个Bank,7K速

度即PC-100、CL=3。
 
  LGS编号后缀中,7.5是PC133内存;8是真正的8ns PC 100内存,速度快于

7K/7J;7K和7J属于PC 100的SDRAM,两者主要区别是第三个反应速度的参数上,

7K比7J的要快,上133MHz时7K比7J更稳定;10K属于非PC100规格的,速度极慢,

由于与7J/7K外型相似,不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
 
3)Kingmax(胜创)
 
  Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式,而一般SDRAM内存都采用TSOP封

装。采用TinyBGA封装的内存,其大小是TSOP封装内存的三分之一,在同等空间下

TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍,而且体积要小、更薄,其金属基板到散热

体的最有效散热路径仅有0.36mm,线路阻抗也小,因此具有良好的超频性能和稳

定性,不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好,例如Kingmax PC150内存

在某些KT133主板上竟然无法开机。
 
  Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)

实际上是能上150外频且能稳定在CL=3(有些能上CL=2)的极品PC133内存条,该

类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题,因此要好于

REV1.1版本。购买Kingmax内存时,你要注意别买了打磨条,市面上JS常把原本是

8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存,所以你最好用SISOFT

SANDRA2001等软件测试一下内存的速度,注意观察内存上字迹是否清晰,是否有

规则的刮痕,芯片表面是否发白等,看看芯片上的编号。
 
  KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒,这使它的速度得到了很大程度的提

升,即使你用它工作在PC133,其速度也会比一般的PC133内存来的快;Kingmax的

PC133内存芯片是-7的,例如编号KSV884T4A1A-07;而PC100内存芯片有两种情况

:部分是-8的(例如编号KSV884T4A0-08),部分是-7的(例如编号KSV884T4A0-

07)。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于:PC100的内存有相当一部分可以超

频到133,但不是全部;而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下(

CL=2)。

4)Geil(金邦、原樵风金条)
 
  金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条,各种金邦金条的SPD均是确

定的,对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存;金色金条P针对PC133服务

器系统,适合双处理器主板;绿色金条是PC100内存;蓝A色金条针对AMD750/760

K7系主板,面向超频玩家;蓝V色金条针对KX133主板;蓝T色金条针对KT-133主板

;银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
 
  金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
 
  其中GL2000代表芯片类型(GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装,金

SDRAM=BLP);GP代表金邦科技的产品;6代表产品家族(6=SDRAM);LC代表处理

工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS);16M8是

设备号码(深度*宽度,内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 =

128Mbit,其中16 = 内存基粒容量;8 = 基粒数目;M = 容量单位,无字母=Bits

K=KB,M=MB,G=GB);4表示版本;TG是封装代码(DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54

4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 
FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA

LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,TG=TSOP

(第二代),U=μ BGA);-7是存取时间(7=7ns(143MHz));AMIR是内部标识

号。以上编号表示金邦千禧条,128MB,TSOP(第二代)封装,0.2微米3.3V 
Vdd CMOS制造工艺,7ns、143MHz速度。
 
5)SEC(Samsung Electronics,三星)
 
   三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示:KM表示三星内存;4代表

RAM种类(4=DRAM);16代表内存芯片组成x16(1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、

8=x8、16=x16);C代表电压(C=5V、V=3.3V);254代表内存密度256Kbit(256

[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx)

D代表内存版本(空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代)即三星

256Kbit*16=4Mb内存。
 
  三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示:KM表示三星内存;4代

RAM种类(4=DRAM);16代表内存芯片组成x16(4 = x4、8 = x8、16 = x16)

S代表SDRAM;16代表内存芯片密度16Mbit(1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M

16 = 16M);2代表刷新(0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K);3表示内存排数(2=2排

3=4排);0代表内存接口(0=LVTTL、1=SSTL);A代表内存版本(空白=第1代

A=第2代、B=第3代);G代表电源供应(G=自动刷新、F=低电压自动刷新);10

代表最高频率(7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H

= 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 )。三星的容量需要自己计算

一下,方法是用'S'后的数字乘S前的数字,得到的结果即为容量,即三星

16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片,刷新为8K,内存Banks为3,内存接口LVTTL,第

2代内存,自动刷新,速度是10ns(100 MHz)。
 
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下:
  
  Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA 
  Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 
  三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示:KM表示三星内存;4代

RAM种类(4=DRAM);16表示内存芯片组成x16(4=x4、8=x8、16=x16、32=x32

);H代表内存电压(H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]);4代表内存密

4Mbit(4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =

256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G);0代表刷新(0 = 64m/4K

[15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μ

s]、4 = 128m/16K[7.8μs]);3表示内存排数(3=4排、4=8排);0代表接口电

压(0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V));T表示封装类型(T=66

TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP));Z代表速度133MHz(5 = 5ns, 200MHz

(400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z =

7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz

(200Mbps))。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片,3.3V DDR SDRAM,刷新时间0 =

64m/4K (15.6μs),内存芯片排数为4排(两面各两排),接口电压

LVTTL+SSTL_3(3.3V),封装类型66针TSOP 
Ⅱ,速度133MHZ。
 
  三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示:KM表示三星内存;4代表

RAM种类(4=DRAM);18代表内存芯片组成x18(16 = x16、18 = x18);RD表示

产品类型(RD=Direct RAMBUS DRAM);8代表内存芯片密度8M(4 = 4M、8 = 8M

16 = 16M);C代表封装类型(C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL

-CSP);80代表速度(60 = 600Mbps、80 = 800Mbps)。即三星8M*18bit=144M,

BGA封装,速度800Mbps。

6)Micron(美光)
 
  Micron公司是世界上知名内存生产商之一(如右图Micron PC143 SDRAM内存

条),其SDRAM芯片编号格式为:MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
 
  其中MT代表Micron的产品;48代表产品家族(48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR

SDRAM、6=Rambus);ab代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=3.3V Vdd CMOS,

V=2.5V Vdd CMOS);cdMef设备号码(深度*宽度),无字母=Bits,K=Kilobits

KB),M=Megabits(MB),G=Gigabits(GB)Mricron的容量=cd*ef;ef表示数

据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);Ag代表Write Recovery

Twr](A2=Twr=2clk);TG代表封装(TG=TSOPⅡ封装,DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,

F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 FBGA,FP=反转芯片封装,

FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,

R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,U=μ BGA);j代表功耗(L=低耗,

空白=普通);hj代表速度,分成以下四类:
 
A)DRAM
 
  -4=40ns,-5=50ns,-6=60ns,-7=70ns 
  SDRAM,x32 DDR SDRAM(时钟率 @ CL3) 
  -15=66MHz,-12=83MHz,-10+=100MHz,-8x+=125MHz,-75+=133MHz,-

7x+=143MHz,-   65=150MHz,-6=167MHz,-55=183MHz,-5=200MHz 
  DDR SDRAM(x4,x8,x16)时钟率 @ CL=2.5 
  -8+=125MHz,-75+=133MHz,-7+=143MHz
 
B)Rambus(时钟率)
 
  -4D=400MHz 40ns,-4C=400MHz 45ns,-4B=400MHz 50ns,-3C=356MHz 45ns

-3B=356MHz 50ns,-3M=300MHz 53ns
  +的含义 
  -8E支持PC66和PC100(CL2和CL3) 
  -75支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL=3) 
  -7支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2和CL3) 
  -7E支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2+和CL3)
 
C)DDR SDRAM
 
  -8支持PC200(CL2) 
  -75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5) 
  -7支持PC200(CL2),PC266B(CL2),PC266A(CL=2.5)。 
  例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM,

16M8=16*8MB=128MB,133MHz
 
7)其它内存芯片编号
 
  NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示:μPD4代表NEC的产品

5代表SDRAM;64代表容量64MB;8表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8

位、16位、32位,当数据位宽为16位和32位时,使用两位);4代表Bank数(3或4

代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;2代表2个Bank);1代表LVTTL(如

16位和32位的芯片,则为两位,第2位双重含义,如1代表2个Bank和LVTTL,3代

4个Bank和LVTTL);G5为TSOPⅡ封装;-A80代表速度:在CL=3时可工作在

125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2(80=8ns[125MHz CL 3],10=10ns[PC100 CL

3],10B=10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范,12=12ns,70=[PC133],

75=[PC133]);JF代表封装外型(NF=44-pinTSOP-Ⅱ;JF=54-pin TSOPⅡ;

JH=86-pin TSOP-Ⅱ)。
 
  HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示:HM代表日立的产品;52

SDRAM类型(51=EDO DRAM,52=SDRAM);64代表容量64MB;80表示数据位宽

40、80、16分别代表4位、8位、16位);5F表示是第几个版本的内核(现在至

少已排到'F'了);空白表示功耗(L=低功耗,空白=普通);TT为TSOⅡ封装;

B60代表速度(75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],A60=10ns[PC-100 CL2

3],B60=10ns[PC-100 CL3]即100MHZ时CL是3)。
 
  SIEMENS(西门子)内存芯片编号格式为:HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab

为容量,gh是速度(6=166MHz,7=143MHz,7.5=133MHz,8=125MHz,8B=100MHz[

CL3],10=100MHz[PC66规格])。
 
  TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示:TC代表是东芝的产品;

59代表SDRAM(其后的S=普通SDRAM,R=Rambus SDRAM,W=DDR SDRAM);64代表容

量(64=64Mb,M7=128Mb);08表示数据位宽(04、08、16、32分别代表4位、8位

16位和32位);B表示内核的版本;FT为TSOPⅡ封装(FT后如有字母L=低功耗,

空白=普通);80代表速度(75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],10=10ns

100MHz CL=3])。
 
  IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10,其中IBM代表IBM的产品;03代

SDRAM;16代表容量16MB;80表示数据位宽(40、80、16分别代表4、8、16位)

C代表功耗(P=低功耗,C=普通);D表示内核的版本;10代表速度(68=6.8ns

147MHz],75A=7.5NS[133MHz], 260或222=10ns[PC100 CL2或3],360或

322=10ns[PC100 CL3],B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3时的标定速度为

135MHZ,10=10NS[100MHz]。